本節(jié)使用candence軟件，基于TSMC的0.35mm工藝對電路進行進一步的仿真和調(diào)試。電路如圖4.1所示。

　　圖 4.1 Banba結(jié)構(gòu)的電路仿真圖

　　1. 溫度系數(shù)調(diào)整

　　實測結(jié)果顯示，輸出電壓Vref的溫度系數(shù)在原始參數(shù)下變化很大，這是因為計算時將所有器件考慮為理想狀態(tài)，這在實際電路仿真中是不可能的，實際MOS管和晶體管都有計算時難以考慮的二級效應(yīng)，電容、電阻等也非理想。所以要對影響溫度系數(shù)的參數(shù)進行調(diào)整，才能達到優(yōu)溫度系數(shù)。

　　另外一個重要影響是運放的失調(diào)電壓，實際運放的開環(huán)增益是有限的并非無窮大，所以Vx和Vy的電壓不會完全相等。所以，在實際電路中對Banba結(jié)構(gòu)進行了適當修改，使用兩級PNP管串聯(lián)。如圖3.1中，根據(jù)理論分析得到式(4.1)。

　　(4.1)

　　M1管的寬長比m越大，M1管通過電流鏡得到的電流越大，失調(diào)電壓Vos的影響越小。溫度系數(shù)還和電阻R2/R3比值有關(guān)。

　　1).先對M1管的寬長比進行掃描，結(jié)果如圖4.2。

　　圖 4.2 M1管不同寬長比下輸出電壓隨溫度變化曲線

　　為了更直觀的顯示好的寬長比，根據(jù)PPM計算公式(4.2)

　　(4.2)

　　使用cadence里面的計算工具得到圖4.3，

　　圖4.3 M1管不同寬長比下的PPM值

　　所以M1管的寬長比為18u/0.5u時PPM小，為3.508ppm/℃。 哪里有射頻培訓(xùn)機構(gòu)